ABOUT US연혁
2000년대
- 12월
세계 최초 40나노급 2기가비트 그래픽 DDR5 개발
- 11월
지속가능경영대상 수상
대중소기업협력대상에서 기업/단체 부문 대통령 표창 수상 - 10월
업계 최고 성능 2세대 1기가비트 DDR3 개발
국내 반도체 업계 최초로 유엔글로벌콤팩트(UNGC) 가입 - 08월
세계 최초 4기가비트 모바일 D램 인텔 인증 획득
- 05월
중국 무석시 후공정 합작사 설립
뉴모닉스·파이슨과 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결
- 04월
54나노 기술 적용 세계 최고 성능 모바일 D램 개발
지속경영보고서 'Good Memory, Better Tomorrow' 발간
일본, 상계관세 철폐 - 03월
세계 최초 8기가바이트 DDR3 서버용 모듈 인텔 인증 획득
- 02월
세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발
- 01월
세계 최고속 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔 인증 획득
- 12월
세계 최초 '웨이퍼 레벨 패키지' 적용한 초소형 서버용 모듈 개발
세계 최초 8단 적층 16GB 낸드플래시 개발
美·EU, S램 반독점 위반 조사 '무혐의' 종료
세계 최초 2기가비트 고용량 모바일 D램 개발 - 11월
세계 최고속 1Gb 그래픽스 D램 개발
온실가스 국제 검증 성명서 획득 - 10월
지속가능경영대상 수상
- 09월
세계 최초 신개념 패키지 양면 기판 개발
- 08월
청주 300mm 전용 청주 제3공장 준공
미국, 상계관세 철폐
세계 최초 16GB 서버용 모듈 개발 - 07월
'지속경영보고서' 반도체부문 대상 수상
씨앤에스社와 자동차용 반도체 제휴 협력 협약 체결 - 06월
대만 파이슨社와 사업협력 본계약 체결
세계 최초 3중셀(X3) 기술 기반의 32Gb 낸드플래시 메모리 개발
- 05월
대만 프로모스社와 포괄적 제휴 협력 계약 체결
- 04월
업계 최초 '지속경영보고서' 발간
유럽연합(EU), 상계관세 철폐
'도전·창조·협력' 新 핵심가치 제정
세계 최고속 모바일 LPDDR2 개발
美 그란디스社와 STT램 라이선스 및 공동 개발 계약 체결 - 03월
신임이사진 선임
국내 팹리스 업체 피델릭스社와 협력 계약 체결
청주 300mm공장 (M11) 장비 반입식 - 02월
미국 메타램社와 2-Rank 기반 고성능 서버용 8GB DDR2 메모리 모듈 개발
수익성 1위 탈환 위한 R&D 역량 강화 - 01월
차세대 비휘발성 메모리 분야 원천기술 공동개발 협약식
새로운 혁신 시스템 구축 위한 도요타社 벤치마킹
54나노 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔社 인증 획득
지속가능경영 원년을 위한 경영전략 워크숍 개최
- 12월
약 6억불 대규모 해외 전환사채 성공적 발행
- 11월
WTO “일본, 하이닉스 상계관세 부과 부당하다” 판정
실리콘화일社과 CIS 추진을 위한 협력 계약 체결
'일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
54나노 1Gb DDR2 D램 인텔社 인증 획득
국내 협력 기업과 성능평가 팹 운영
세계 최초 1Gb GDDR5 개발 - 10월
환경운동연합과 '환경경영검증위원회' 협약식
미국 오보닉스社와 차세대 메모리 'P램'기술 라이선스 계약 체결 - 09월
Hynix-ST 반도체 유한공사, CRH社와 200mm 장비 매각 계약 체결
세계 최초 24단 낸드 플래시 MCP 개발 - 08월
이노베이티브 실리콘社와 신개념 메모리 'Z램' 라이센스 계약 체결
최고속ㆍ최소형 1Gb 모바일 D램 개발
- 07월
기업 슬로건 'Good Memory' 공표
제2창업 비전 달성 위한 중장기 마스터플랜 발표 - 05월
업계최초 초박형 20단 낸드 플래시 MCP 개발
초고속 차세대 메모리 DDR3 업계 최초 인증 획득 - 04월
업계 최고 수준의 이익률 기록
청주 300mm 공장 (M11) 착공
퓨전메모리 DOC H3 본격양산 - 03월
김종갑 신임 대표이사 취임 '제2의 창업' 선포
샌디스크社와 특허 상호 라이센스/제품 공급 계약 체결 및 합작사 설립 양해각서 체결
도시바社와 특허 상호 라이센스 및 공급 계약 체결
친환경 마크 발표
세계 최고속 ECC 모바일 D램 개발
신임 이사진 구성 - 01월
사상 최대 매출 및 이익 달성
최첨단 '웨이퍼 레벨 패키지' 기술 적용한 최고속 메모리 모듈 개발
- 12월
세계 최초 60나노급 최고속 DDR2 모듈 개발
세계 최고속, 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발 - 10월
중국 합작공장 Hynix-ST 준공으로 글로벌 300mm 생산체제 구축
- 09월
300mm 연구개발 팹 'R3' 개소
- 03월
업계 최초로 80나노 DDR2 D램 인텔社 인증 획득
- 01월
차세대 퓨전 메모리 'DOC H3' M-Systems社와 공동 개발 합의
- 12월
세계 최고속, 최대용량 그래픽 메모리 512Mb GDDR4 D램 개발
- 11월
독자적인 반도체 적층기술 적용한 초소형 메모리 모듈 2종 업계 최초 개발
- 07월
2GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔社 인증 획득
채권금융기관 공동관리 조기종료 확정 - 06월
최고속 1GB DDR2-800 모듈 업계 최초 인증 획득
- 05월
이천 M10 공장 준공식 300mm 웨이퍼 본격 양산
- 04월
중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시 중국 현지 합작공장 Hynix-ST 착공
- 03월
2004년 경영실적 사상 최대 연간 영업이익 달성
- 01월
전력 소모 30% 줄인 x8 기반 서버용 메모리 모듈 개발
대만 프로모스社와 전략적 제휴를 위한 본계약 체결
- 11월
STMicro社와 중국 현지 합작 공장 설립을 위한 본계약 체결
- 10월
비메모리 사업부문 영업양도 완료
- 08월
중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 중국 현지공장설립 본계약 체결
- 06월
시스템세미컨덕터 유한회사와 비메모리 사업부분 영업양도계약 체결
- 03월
업계 최초로 초고속 DDR SD램 550MHz개발
1Gb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득 - 02월
512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
- 12월
대만 프로모스社와 전략적 제휴 체결
512Mb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득 - 09월
셀레스티카社로부터 우수 협력업체상 수상
- 08월
0.18미크론 고전압 공정기술 개발
1Gb DDR2 개발 성공 - 07월
초고속 256메가 DDR500 출시
- 06월
512Mb/512MB DDR400 인텔社 인증 획득
4천 96색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
환경/안전/보건 기술연구소 설립
- 05월
모바일용 초저전력 256Mb SD램 양산
0.10 미크론급 골든칩 양산 기술 성공 - 04월
STMicro社와 플래시메모리 전략적 제휴
- 03월
메가급 Fe램 상용화 기술 개발
CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시 - 02월
256Mb/256MB DDR 400 인텔社 인증 획득
- 01월
333Mbps급 초고속 512Mb DDR SD램 인텔社 인증 획득
- 11월
하이디스 매각
- 10월
골든칩(Golden Chip) 기술 적용 0.10미크론급 512Mb DDR 개발
- 09월
자회사 하이디스(TFT-LCD) 매각 양해각서 체결
- 08월
그래픽 메모리용 초고속 256Mb DDR SD램 최초 출시
메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈 - 07월
블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴드칩' 개발
- 06월
고성능 정보가전용 256Mb SD램 최초 출시
- 05월
시러스 로직社와 파운드리 전략적 장기공급 계약체결
- 03월
1GB DDR D램 모듈 출시
- 02월
대만 VIA社에 DDR SD램 공식인증
- 01월
<현대시스콤> 지분 양도 계약 체결
- 12월
세계 최고속 그래픽용 128Mb DDR SD램 출시
- 11월
DDR 333, 대만 SiS社로부터 고객인증 획득
- 10월
카오디오용 8b MCU개발 / 양산 돌입
- 09월
'블루칩' 프로젝트로 세계 최고 수준 경쟁력 확보
6억5천만불에 TFT-LCD 자산 매각 - 08월
현대그룹서 계열분리 확정
- 07월
플래시 메모리카드 전용 MCU 개발 / 양산 돌입
통신시스템사업부 <현대시스콤>으로 분사 - 06월
FED 구동 IC개발완료
경영지원부문 <㈜아스텍>으로 분사
국내외 대규모 GDR 발행 성공
MCP 시장 진출
32Mb초저전압형 플래시메모리 2종 출시
- 05월
통신ADSL사업부 <현대네트웍스>로 분사
통신 ADSL 사업 공식 분리
1Mb 강유전체 메모리(FeRAM) 개발
통신단말기사업부 <현대큐리텔>로 분사 - 04월
그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
새 기업이미지(CI) 제정
램버스社에 288Mb 램버스 D램 공식 인증 - 03월
(주)하이닉스반도체로 사명 변경
메인 메모리용 DDR SD램 모듈 본격 공급
차세대 단말기용 저전력 8Mb S램 개발
서비스사업부문 <현대디지텍서비스㈜>로 분사 - 02월
KCC에 걸리버스 농구단 매각
'위성서비스 사업부문' 분리
미국 AMD에 DDR SD램 모듈 공식 인증 - 01월
안전ㆍ보건 분야 국제인증규격 획득
초고속 512Mb DDR SD램 개발
- 12월
TL 9000 품질경영시스템 인증 획득
초소형 256MB 반도체 모듈 개발 - 10월
전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
가정의 날 휴가제도 시행
인도 CDMA WLL 장비 시장 진출
새 슬로건 'Human & Digital' 선포 - 09월
사내연구위원제 시행
- 08월
신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
국내외 위성통신서비스 사업 진출
모니터사업부문, <현대이미지퀘스트>로 분사
PDP사업부문 분사 - 07월
LG전자와 반도체분야 전략적 제휴
중국 전자화폐 규격 인증 획득
전자구매 조달 시스템 가동
직원연봉제 시대 개막
- 06월
차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
반도체용 신 감광제 양산화 성공
브라질 WLL단말기 시장 진출 - 05월
전 사업장 환경경영 인증획득
국내최초로 ADSL시스템 수출 - 04월
모토로라社에 스코틀랜드 반도체공장 매각
강유전체메모리(Fe램) 제품화 성공
초저전압 플래시 메모리 출시
MPEG-4/7기술 국제표준 작업에 채택
배터리 충전기용 MCU 개발 양산 - 02월
인텔 개발자 회의'에서 미국 인텔社로부터 CMTL상 수상
