歷史沿革

記錄了SK海力士從1983年至今堅守信念,
不斷發展的歷程

  • 1983

現在 ~ 2018圍繞尖端技術,夢想更美好的世界

2021

  • 5
    公佈2020年社會價值(SV)成果
  • 3
    宣布開始量產業界最高容量的LPDDR5移動端DRAM
  • 2
    宣布M16新廠竣工
  • 1
    宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景

2020

  • 12
    開發業界最高層 176層 4D NAND
  • 11
    推出全球首款DDR5 DRAM
    收購英特爾NAND閃存業務
  • 9
    成立AI專業公司‘高斯實驗室公(Gauss Labs Inc.)’
  • 7
    宣布開始量產超高速DRAM ‘HBM2E’
  • 4
    榮獲2019 CDP選定的‘水管理’大獎

2019

  • 10
    啟動“Global Newsroom(全球新聞中心)” 以加強溝通
    第三代10納米(1Znm)DDR4 DRAM 開發
  • 8
    開發世界最快的高帶寬存儲器,HBM2E
  • 6
    全球首次量產128層4D NAND閃存
  • 5
    96段 4D 基礎NAND 1Tb QLC樣品出貨
  • 4
    中國無錫擴張(C2F)竣工
  • 3
    1兆2200億韓幣規模<半導體相生集群>支援方案確立
    新一代數據中心用標準ZNZ SSD行業首次飾演
  • 2
    半導體集群SPC,向龍仁市政府提交投資意向書

2018

  • 12
    利川總部舉行M16奠基儀式
    新任代表董事李錫熙選任社長
  • 11
    第二代10納米級(1Y)16Gb DDR5開發
    第二代10納米級(1Y)DDR4 DRAM 開發
    世界首創基於CTF 96段4D NAND 開發
  • 10
    引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’
    清州 M15竣工儀式開展
  • 7
    在京畿道利川宣布新半導體工廠建設
  • 6
    通過韓美日聯合國際財團,完成收購東芝存儲器公司的程序。
  • 5
    完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所’
  • 3
    引入外部董事制度和在董事會內設立持續管理委員會
  • 2
    開發商業用的第四代(72層)3D NAND 4TB 串行高級技術附件(SATA)固態硬盤
    開始第4代(72層)基於NAND的新一代PCIe eSSD客戶認證

2021.02 M16新廠竣工

2021.01 推出客戶端SSD 'gold P31', 'Gold S31'

2021.01 宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景

2020.10 推出全球首款DDR5 DRAM

2019.08 開發世界最快的高帶寬存儲器,HBM2E

2019.06 全球首次量產128層4D NAND閃存

2018.10 引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’

2018.05 完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所

2017 ~ 2012 插上幸福的翅膀。

2017

  • 10
    運作”SK海力士產業保健促進委員會“
  • 9
    發表利川校園研發中心建設計劃
    決定投資東芝存儲器公司
  • 7
    成立鑄造專門子公司“SK海力士系統集成電路”
  • 4
    開發業界最高的72層3D NAND閃存
    正在開發以線寬20納米、8Gb為基礎的新一代Graphic DRAM-GDDR6
  • 1
    全世界容量最大的8GB、超低功耗的移動DRAM----LPDDR4X上市

2016

  • 12
    公開在忠清北道青州市建立最先進的晶圓廠的計劃
  • 10
    作為韓國企業,首次加入CDP最權威的“白金俱樂部”
    與美國斯坦福大學簽署“關於人工神經網半導體器件的聯合研發“協議
  • 8
    為成立+E8”子公司形式的標准單位“,與韓國殘疾人僱傭公團簽署合作備忘錄
  • 2
    男手球隊”SK Hawks“成立

2015

  • 8
    在利川M14竣工
    與美國閃迪簽訂延長專利許可期限及供貨合同
  • 6
    業界首次採用“薪水分享制度“
  • 2
    8Gb LPDDR4業界最早進入市場
  • 1
    2014年,年度經營業績創下歷史新高

2014

  • 12
    與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄
  • 10
    開發全球首個16GB NVDIMM
  • 9
    於中國四川省重慶市建立後端線
    連續五年列入道瓊斯可持續發展指數(DJSI)
    開發全球首個 Wide IO2 Mobile DRAM
  • 6
    與Softeq Development FLLC的固件部門合併
  • 5
    與Violin Memory的PCIe Card 部門合併
  • 4
    開發全球首個 128GB DDR4模件

2013

  • 12
    開發全球首個 20nm Class LPDDR4
    開發全球首個 TSV-based HBM
  • 11
    建立大規模生產16nm NAND 閃存系統
  • 10
    開發全球首個 20nm Class 6Gb LPDDR3
  • 8
    設立綜合分析中心
  • 7
    與三星電子簽署了交叉許可協議
  • 6
    與Rambus簽署了專利許可協議
    開發全球首個高密8Gb LPDDR3
  • 2
    Park Sung Wook 為新任命的CEO

2012

  • 9
    開發低壓 4Gb Graphics DDR3
    設立閃存解決方案設計中心
  • 6
    於清州市建立M12生產線
    推出客戶端SSD
    收購 Ideaflash S.r.l.並於歐洲建立閃存研發中心
    與IBM簽署了聯合開發PCRAM的協議
  • 4
    與Spansion簽署戰略聯盟
  • 2
    公司名稱改為 SK hynix Inc.
  • 2
    SK電信成為海力士的第一大股東
    委任崔泰源先生為新主席兼行政總裁
    委任Mr. Ha Sung-min 為董事會主席

2017.07 成立專門從事代工的子公司“SK hynix System IC”

2013.10 2D Nano 4Gb DDR3 DRAM

2012.06 於清州市建立M12生產線

2011 ~ 2001 具備世界頂級技術

2011

  • 11
    SK電信與海力士股份管理委員會簽署了股份購買協議書
  • 7
    與Toshiba 簽署了聯合開發MRAM的協議
  • 4
    開發30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM
  • 3
    利用TSV技術開發40nm Class 16Gb DDR3 DRAM

2010

  • 9
    入選道瓊斯(DJSI, Dow Jones Sustainability World Index)可持續發展世界指數
    與HP簽署了聯合開發新一代記憶體產品ReRAM的協議
  • 6
    於中國建成HITECH 半導體封裝測試的後端合資企業
  • 3
    委任Mr. Kwon Oh-chul 為新行政總裁
  • 2
    開發20nm Class 64Gb NAND Flash
  • 1
    開發全球首個40nm Class 2Gb移動低功耗DDR2 DRAM

2009

  • 12
    開發業內最高性能的第二代1千兆位DDR3
  • 10
    世界最初獲得4千兆位移動DRAM的英特爾認證
  • 8
    成立中國無錫市後續工程合作社
  • 4
    世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
  • 3
    世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
  • 2
    世界最先開發44nm DDR3 DRAM
  • 1
    世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證

2008

  • 12
    世界最先開發2Gb Mobile DRAM
  • 11
    引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
  • 8
    清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
    世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
    為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
  • 5
    與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
  • 4
    為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU董事會的措施表示歡迎
    開發出世界最高速Mobile LPDDR2
  • 2
    引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
  • 1
    簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
    8發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2007

  • 12
    成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
  • 11
    WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案,日本敗訴
    與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議
    獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證
    業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
  • 10
    與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同
    與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
  • 9
    以24層疊芯片(stacked chips),世界最先開發NAND閃存MCP
  • 8
    開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
  • 5
    業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
  • 4
    DOC H3開始大量生產
    在韓國清州300mm設施(M11) 開工
    實現最高水平的營業利潤率
  • 3
    開發出世界最高速ECC Mobile DRAM
    發表“生態標記(ECO Mark)”
    與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
    與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
    金鐘甲就任新任代表董事、社長
  • 1
    開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊
    2006年創下最高業績及利潤

2006

  • 12
    業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊
    開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
  • 10
    創下創立以來最高業績
    通過海力士-ST半導體(株)的竣工,構建國際性生產網絡
  • 9
    300mm研究生產線(R3) 成立
  • 3
    業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
  • 1
    發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)

2005

  • 12
    世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
  • 11
    業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM
  • 7
    提前從企業重組完善協議中抽身而出
  • 4
    海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
  • 3
    發布2004年財務報表,實現高銷售利潤
  • 1
    與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議

2004

  • 11
    與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
  • 10
    與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
  • 8
    獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
  • 6
    簽訂非內存事業營業權轉讓協議
  • 3
    行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz
    1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
  • 2
    成功開發512Mb NAND閃存

2003

  • 12
    宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
  • 8
    成功開發1Gb DDR2RAM
  • 7
    宣佈在世界上首次發表DDR500
  • 6
    512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
  • 5
    採用0.10微米工藝技術投入生產
    超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
  • 4
    宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存
  • 3
    發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

2002

  • 11
    出售HYDIS(TFT-LCD)
  • 10
    開發0.10微米、512Mb DDR
  • 8
    在世界上首次開發高密度大寬帶256MB的DDR SDRAM
  • 6
    在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
  • 3
    開發1G DDR DRAM模塊

2001

  • 12
    開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
  • 8
    完成與現代集團的最終分離
  • 7
    剝離CDMA移動通信設備製造業務‘Hyundai Syscomm’
  • 5
    剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’
    剝離網絡業務‘Hyundai Networks’
  • 3
    公司更名為“Hynix半導體有限公司”

2011.04 開發30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM

2010.06 於中國建成HITECH 半導體封裝測試的後端合資企業

2009.02 世界最先開發44nm DDR3 DRAM

2008.08 於清州市建立M12生產線

2005.04 2004年與中國無錫共同建設合資工廠

2005.05 M10 FAB於2004年7月竣工,300mm設備入庫儀式

2004.02 成功開發512Mb NAND閃存

2001.04 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2001.03 公司更名為“Hynix半導體有限公司”

2000 ~ 1990 專注於半導體業務

2000

  • 12
    成功開發超小型256MB半導體模塊
  • 8
    剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’
  • 7
    與LG電子達成半導體領域戰略合作
  • 6
    成功實現半導體用新感光劑的量產
  • 5
    全部工廠獲得環保經營認證
  • 4
    成功實現鐵電隨機存取存儲器(Fe RAM)產品化
    推出超低電壓閃存

1999

  • 10
    兼併現代半導體株式會社
  • 6
    成功量產全球最高速圖形顯示用16Mb同步動態隨機存取存儲器
  • 5
    與LG電子和LG半導體簽訂股票轉讓合同
  • 3
    出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)

1998

  • 12
    全球最先成功實現4Gb動態隨機存取存儲器用感光劑量產技術化和技術出口
    成功開發0.25微米非存儲製造技術
  • 11
    成功量產全球最高速128Mb靜態隨機存取存儲器
  • 10
    成功開發第四代64Mb同步動態隨機存取存儲器
  • 9
    開發64Mb的DDR SDRAM
  • 2
    韓國國內最先成功開發汽車用非存儲半導體

1997

  • 11
    全球最先成功開發Synclink動態隨機存取存儲器新產品
  • 5
    在世界上首次開發1Gb SDRAM

1996

  • 12
    公司股票上市

1995

  • 12
    躋身韓國國內10大製造企業
  • 10
    在世界上首次開發256Mb的SDRAM
  • 8
    在美國俄勒岡州設立半導體工廠

1993

  • 9
    獲得半導體類ISO9001證書
  • 8
    接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)
    成功開發1Mb Fast靜態隨機存取存儲器
  • 7
    16Mb動態隨機存取存儲器進入試生產(FAB IV)
  • 6
    FAB IV完工
  • 3
    混合IC和存儲模塊獲得ISO9002認證

1992

  • 12
    FAB 2 B-Line完工
  • 11
    被美國Analog Devices – PMI選為半導體組裝領域最佳企業
  • 9
    獲得半導體組裝領域ISO9002認證
    成功開發第二代16Mb動態隨機存取存儲器
    成功開發半導體64Mb動態隨機存取存儲器

1991

  • 11
    成功開發1Mb Slow靜態隨機存取存儲器
  • 4
    成功量產4Mb動態隨機存取存儲器
  • 3
    開發16Mb的DRAM

1990

  • 1
    開始生產1Mb動態隨機存取存儲器

1999.07 LG半導體併購

1999.05 在世界上首次開發1Gb SDRAM

1992.09 現代電子開發的64M DRAM

1990 現代電子

1990 研發基地

1990 被評為質量管理百強之一

1989 ~ 1983 事業的第一步

1989

  • 11
    竣工 FAB III
  • 9
    開發4Mb的DRAM
  • 8
    成功開發256K Fast靜態隨機存取存儲器
  • 4
    開始共同開發16Mb動態隨機存取存儲器
  • 1
    躋身全球半導體市場佔有率前20

1988

  • 11
    在歐洲當地設立公司(HEE)
  • 6
    成功開發256K Slow靜態隨機存取存儲器
  • 1
    開發1Mb的DRAM

1987

  • 10
    開始出口256Kb動態隨機存取存儲器
  • 8
    與美國TI公司簽訂256Kb動態隨機存取存儲器代工供應合同
  • 7
    與美國MOS ELECTRONIC公司達成256Kb靜態隨機存取存儲器技術合作
  • 6
    舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”
  • 4
    設立半導體研究院

1986

  • 10
    FAB 1B-LINE完工
  • 6
    舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”
  • 4
    設立半導體研究院
  • 1
    設立軟件業務本部

1985

  • 12
    16Kb靜態隨機存取存儲器開始出貨
  • 10
    開始批量生產256K的DRAM

1984

  • 12
    韓國國內最先成功試產16Kb靜態隨機存取存儲器
  • 9
    完成FAB II-A

1983

  • 10
    利川工廠開工
  • 3
    設立美國當地法人公司HEA
  • 2
    創立現代電子株式會社

1986.10 現代電子完成

1985.10 現代電子在韓國首次量產256K DRAM

1984.12 在韓國開發出第一個 16Kb S-RAM

1983.02 現代電子工業成立時的利川工廠鳥瞰圖

1983 現代電子全景

1980 建設中的半導體工廠