歷史沿革
記錄了SK海力士從1983年至今堅守信念，
不斷發展的歷程
現在 ~ 2018圍繞尖端技術，夢想更美好的世界
2023
- 8月
- 開發出全球最高規格的‘HBM3E’
批量生產世界最大容量的LPDDR5X DRAM
公開世界最高層數的‘321層NAND’樣品
- 6月
- 投入世界最高層數‘238層4D NAND’的批量生產
- 4月
- 開發出世界首款12層堆疊HBM3
- 1月
- 開發全球最快移動DRAM，LPDDR5T
2022
- 9月
- 決定投資M15X新工廠
- 8月
- 完成Key Foundry的收購
開發出世界最高層數的‘238層NAND’閃存芯片
- 6月
- 開始量產HBM3 DRAM
- 3月
- 郭魯正（Kwak Noh-Jung）被任命為新的各自代表理事
加入SK集團十周年
- 2月
- 研發出新一代智能內存芯片技術PIM
- 1月
- SK的3家子公司攜手成立SK資訊及通訊科技聯盟（SK ICT Alliance）
2021
- 12月
- 完成收購英特爾NAND第一階段作業
- 10月
- 研發出世界首款HBM3 DRAM
- 7月
- 啟用EUV，正式量產第4代10奈米級DRAM
- 5月
- 公佈2020年社會價值（SV）成果
- 3月
- 宣布開始量產業界最高容量的LPDDR5移動端DRAM
- 2月
- 宣布M16新廠竣工
- 1月
- 宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景
2020
- 12月
- 開發業界最高層 176層 4D NAND
- 11月
- 推出全球首款DDR5 DRAM
收購英特爾NAND閃存業務
- 9月
- 成立AI專業公司‘高斯實驗室公(Gauss Labs Inc.)’
- 7月
- 宣布開始量產超高速DRAM ‘HBM2E’
- 4月
- 榮獲2019 CDP選定的‘水管理’大獎
2019
- 10月
- 啟動“Global Newsroom(全球新聞中心)” 以加強溝通
第三代10納米（1Znm）DDR4 DRAM 開發
- 8月
- 開發世界最快的高帶寬存儲器，HBM2E
- 6月
- 全球首次量產128層4D NAND閃存
- 5月
- 96段 4D 基礎NAND 1Tb QLC樣品出貨
- 4月
- 中國無錫擴張（C2F）竣工
- 3月
- 1兆2200億韓幣規模<半導體相生集群>支援方案確立
新一代數據中心用標準ZNZ SSD行業首次飾演
- 2月
- 半導體集群SPC，向龍仁市政府提交投資意向書
2018
- 12月
- 利川總部舉行M16奠基儀式
新任代表董事李錫熙選任社長
- 11月
- 第二代10納米級（1Y）16Gb DDR5開發
第二代10納米級（1Y）DDR4 DRAM 開發
世界首創基於CTF 96段4D NAND 開發
- 10月
- 引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’
清州 M15竣工儀式開展
- 7月
- 在京畿道利川宣布新半導體工廠建設
- 6月
- 通過韓美日聯合國際財團，完成收購東芝存儲器公司的程序。
- 5月
- 完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所’
- 3月
- 引入外部董事制度和在董事會內設立持續管理委員會
- 2月
- 開發商業用的第四代（72層）3D NAND 4TB 串行高級技術附件(SATA)固態硬盤
開始第4代（72層）基於NAND的新一代PCIe eSSD客戶認證
2023.08 開發出全球最高規格的‘HBM3E’
2023.08 公開世界最高層數的‘321層NAND’樣品
2022.08 開發出世界最高層數的‘238層NAND閃存芯片’
2022.03 加入SK集團十周年
2021.10 研發出世界首款HBM3 DRAM
2021.02 M16新廠竣工
2021.01 推出客戶端SSD 'gold P31', 'Gold S31'
2021.01 宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景
2020.10 推出全球首款DDR5 DRAM
2019.08 開發世界最快的高帶寬存儲器，HBM2E
2019.06 全球首次量產128層4D NAND閃存
2018.10 引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’
2018.05 完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所’
