歷史沿革

記錄了SK海力士從1983年至今堅守信念,
不斷發展的歷程

  • 1983

現在 ~ 2018圍繞尖端技術,夢想更美好的世界

2021

  • 5
    公佈2020年社會價值(SV)成果
  • 3
    宣布開始量產業界最高容量的LPDDR5移動端DRAM
  • 2
    宣布M16新廠竣工
  • 1
    宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景

2020

  • 12
    開發業界最高層 176層 4D NAND
  • 11
    推出全球首款DDR5 DRAM
    收購英特爾NAND閃存業務
  • 9
    成立AI專業公司‘高斯實驗室公(Gauss Labs Inc.)’
  • 7
    宣布開始量產超高速DRAM ‘HBM2E’
  • 4
    榮獲2019 CDP選定的‘水管理’大獎

2019

  • 10
    啟動“Global Newsroom(全球新聞中心)” 以加強溝通
    第三代10納米(1Znm)DDR4 DRAM 開發
  • 8
    開發世界最快的高帶寬存儲器,HBM2E
  • 6
    全球首次量產128層4D NAND閃存
  • 5
    96段 4D 基礎NAND 1Tb QLC樣品出貨
  • 4
    中國無錫擴張(C2F)竣工
  • 3
    1兆2200億韓幣規模<半導體相生集群>支援方案確立
    新一代數據中心用標準ZNZ SSD行業首次飾演
  • 2
    半導體集群SPC,向龍仁市政府提交投資意向書

2018

  • 12
    利川總部舉行M16奠基儀式
    新任代表董事李錫熙選任社長
  • 11
    第二代10納米級(1Y)16Gb DDR5開發
    第二代10納米級(1Y)DDR4 DRAM 開發
    世界首創基於CTF 96段4D NAND 開發
  • 10
    引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’
    清州 M15竣工儀式開展
  • 7
    在京畿道利川宣布新半導體工廠建設
  • 6
    通過韓美日聯合國際財團,完成收購東芝存儲器公司的程序。
  • 5
    完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所’
  • 3
    引入外部董事制度和在董事會內設立持續管理委員會
  • 2
    開發商業用的第四代(72層)3D NAND 4TB 串行高級技術附件(SATA)固態硬盤
    開始第4代(72層)基於NAND的新一代PCIe eSSD客戶認證
이천 M16 팹 준공 이미지

2021.02 M16新廠竣工

소비자용 SSD 'Gold P31', 'Gold S31' 국내 출시 이미지

2021.01 推出客戶端SSD 'gold P31', 'Gold S31'

사회적가치 중장기 추진계획 'SV 2030'발표 이미지

2021.01 宣布 社會價值2030 :社會價值長期遠景

세계 최초 DDR5 D램 출시 이미지

2020.10 推出全球首款DDR5 DRAM

업계 최고속 HBM2E 개발 이미지

2019.08 開發世界最快的高帶寬存儲器,HBM2E

세계 최초 '128단 4D 낸드'양산 이미지

2019.06 全球首次量產128層4D NAND閃存

새 슬로건 'We Do Technology' 도입 이미지

2018.10 引進以技術為中心的新口號‘We Do Technology’

장애인 표준사업장 '행복모아' 준공 이미지

2018.05 完成Happy More ‘子公司殘疾人標準工作場所

2017 ~ 2012 插上幸福的翅膀。

2017

  • 10
    運作”SK海力士產業保健促進委員會“
  • 9
    發表利川校園研發中心建設計劃
    決定投資東芝存儲器公司
  • 7
    成立鑄造專門子公司“SK海力士系統集成電路”
  • 4
    開發業界最高的72層3D NAND閃存
    正在開發以線寬20納米、8Gb為基礎的新一代Graphic DRAM-GDDR6
  • 1
    全世界容量最大的8GB、超低功耗的移動DRAM----LPDDR4X上市

2016

  • 12
    公開在忠清北道青州市建立最先進的晶圓廠的計劃
  • 10
    作為韓國企業,首次加入CDP最權威的“白金俱樂部”
    與美國斯坦福大學簽署“關於人工神經網半導體器件的聯合研發“協議
  • 8
    為成立+E8”子公司形式的標准單位“,與韓國殘疾人僱傭公團簽署合作備忘錄
  • 2
    男手球隊”SK Hawks“成立

2015

  • 8
    在利川M14竣工
    與美國閃迪簽訂延長專利許可期限及供貨合同
  • 6
    業界首次採用“薪水分享制度“
  • 2
    8Gb LPDDR4業界最早進入市場
  • 1
    2014年,年度經營業績創下歷史新高

2014

  • 12
    與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄
  • 10
    開發全球首個16GB NVDIMM
  • 9
    於中國四川省重慶市建立後端線
    連續五年列入道瓊斯可持續發展指數(DJSI)
    開發全球首個 Wide IO2 Mobile DRAM
  • 6
    與Softeq Development FLLC的固件部門合併
  • 5
    與Violin Memory的PCIe Card 部門合併
  • 4
    開發全球首個 128GB DDR4模件

2013

  • 12
    開發全球首個 20nm Class LPDDR4
    開發全球首個 TSV-based HBM
  • 11
    建立大規模生產16nm NAND 閃存系統
  • 10
    開發全球首個 20nm Class 6Gb LPDDR3
  • 8
    設立綜合分析中心
  • 7
    與三星電子簽署了交叉許可協議
  • 6
    與Rambus簽署了專利許可協議
    開發全球首個高密8Gb LPDDR3
  • 2
    Park Sung Wook 為新任命的CEO

2012

  • 9
    開發低壓 4Gb Graphics DDR3
    設立閃存解決方案設計中心
  • 6
    於清州市建立M12生產線
    推出客戶端SSD
    收購 Ideaflash S.r.l.並於歐洲建立閃存研發中心
    與IBM簽署了聯合開發PCRAM的協議
  • 4
    與Spansion簽署戰略聯盟
  • 2
    公司名稱改為 SK hynix Inc.
  • 2
    SK電信成為海力士的第一大股東
    委任崔泰源先生為新主席兼行政總裁
    委任Mr. Ha Sung-min 為董事會主席
파운드리 전문회사 SK하이닉스 시스템아이씨 출범 이미지

2017.07 成立專門從事代工的子公司“SK hynix System IC”

반도체 업계 최초로 환경성적표지 인증을 취득한 2D나노급 4Gb DDR3 D램 이미지

2013.10 2D Nano 4Gb DDR3 DRAM

청주 M12 준공 이미지

2012.06 於清州市建立M12生產線

2011 ~ 2001 具備世界頂級技術

2011

  • 11
    SK電信與海力士股份管理委員會簽署了股份購買協議書
  • 7
    與Toshiba 簽署了聯合開發MRAM的協議
  • 4
    開發30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM
  • 3
    利用TSV技術開發40nm Class 16Gb DDR3 DRAM

2010

  • 9
    入選道瓊斯(DJSI, Dow Jones Sustainability World Index)可持續發展世界指數
    與HP簽署了聯合開發新一代記憶體產品ReRAM的協議
  • 6
    於中國建成HITECH 半導體封裝測試的後端合資企業
  • 3
    委任Mr. Kwon Oh-chul 為新行政總裁
  • 2
    開發20nm Class 64Gb NAND Flash
  • 1
    開發全球首個40nm Class 2Gb移動低功耗DDR2 DRAM

2009

  • 12
    開發業內最高性能的第二代1千兆位DDR3
  • 10
    世界最初獲得4千兆位移動DRAM的英特爾認證
  • 8
    成立中國無錫市後續工程合作社
  • 4
    世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
  • 3
    世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
  • 2
    世界最先開發44nm DDR3 DRAM
  • 1
    世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證

2008

  • 12
    世界最先開發2Gb Mobile DRAM
  • 11
    引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
  • 8
    清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
    世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
    為引進嶄新而創新性NAND閃存存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
  • 5
    與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
  • 4
    為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU董事會的措施表示歡迎
    開發出世界最高速Mobile LPDDR2
  • 2
    引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
  • 1
    簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
    8發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2007

  • 12
    成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
  • 11
    WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案,日本敗訴
    與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議
    獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證
    業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
  • 10
    與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同
    與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
  • 9
    以24層疊芯片(stacked chips),世界最先開發NAND閃存MCP
  • 8
    開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
  • 5
    業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
  • 4
    DOC H3開始大量生產
    在韓國清州300mm設施(M11) 開工
    實現最高水平的營業利潤率
  • 3
    開發出世界最高速ECC Mobile DRAM
    發表“生態標記(ECO Mark)”
    與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
    與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
    金鐘甲就任新任代表董事、社長
  • 1
    開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊
    2006年創下最高業績及利潤

2006

  • 12
    業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊
    開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
  • 10
    創下創立以來最高業績
    通過海力士-ST半導體(株)的竣工,構建國際性生產網絡
  • 9
    300mm研究生產線(R3) 成立
  • 3
    業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
  • 1
    發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(閃存驅動器內置的新型DiskOnChip)

2005

  • 12
    世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
  • 11
    業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM
  • 7
    提前從企業重組完善協議中抽身而出
  • 4
    海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
  • 3
    發布2004年財務報表,實現高銷售利潤
  • 1
    與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議

2004

  • 11
    與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
  • 10
    與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
  • 8
    獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
  • 6
    簽訂非內存事業營業權轉讓協議
  • 3
    行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz
    1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
  • 2
    成功開發512Mb NAND閃存

2003

  • 12
    宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
  • 8
    成功開發1Gb DDR2RAM
  • 7
    宣佈在世界上首次發表DDR500
  • 6
    512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
  • 5
    採用0.10微米工藝技術投入生產
    超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
  • 4
    宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND閃存
  • 3
    發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

2002

  • 11
    出售HYDIS(TFT-LCD)
  • 10
    開發0.10微米、512Mb DDR
  • 8
    在世界上首次開發高密度大寬帶256MB的DDR SDRAM
  • 6
    在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
  • 3
    開發1G DDR DRAM模塊

2001

  • 12
    開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
  • 8
    完成與現代集團的最終分離
  • 7
    剝離CDMA移動通信設備製造業務‘Hyundai Syscomm’
  • 5
    剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’
    剝離網絡業務‘Hyundai Networks’
  • 3
    公司更名為“Hynix半導體有限公司”
30나노급 2Gb DDR4 D램 개발 이미지

2011.04 開發30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM

중국 우시시에 후공정 합작사 '하이테크' 준공 이미지

2010.06 於中國建成HITECH 半導體封裝測試的後端合資企業

세계 최초 40나노급 DDR3 D램 개발 이미지

2009.02 世界最先開發44nm DDR3 DRAM

청주 M11 준RHD 이미지

2008.08 於清州市建立M12生產線

중국 장쑤성 우시시와 준공한 합작공장의 2004년 착공 모습 이미지

2005.04 2004年與中國無錫共同建設合資工廠

2004년 7월 준공한 M10 FAB, 300mm 장비 반입식 이미지

2005.05 M10 FAB於2004年7月竣工,300mm設備入庫儀式

512Mb 낸드플래시 메모리 개발 이미지

2004.02 成功開發512Mb NAND閃存

그래픽용 세계 최고속 128Mb DDR SD램 출시 이미지

2001.04 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

(주)하이닉스반도체로 사명 변경 이미지

2001.03 公司更名為“Hynix半導體有限公司”

2000 ~ 1990 專注於半導體業務

2000

  • 12
    成功開發超小型256MB半導體模塊
  • 8
    剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’
  • 7
    與LG電子達成半導體領域戰略合作
  • 6
    成功實現半導體用新感光劑的量產
  • 5
    全部工廠獲得環保經營認證
  • 4
    成功實現鐵電隨機存取存儲器(Fe RAM)產品化
    推出超低電壓閃存

1999

  • 10
    兼併現代半導體株式會社
  • 6
    成功量產全球最高速圖形顯示用16Mb同步動態隨機存取存儲器
  • 5
    與LG電子和LG半導體簽訂股票轉讓合同
  • 3
    出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)

1998

  • 12
    全球最先成功實現4Gb動態隨機存取存儲器用感光劑量產技術化和技術出口
    成功開發0.25微米非存儲製造技術
  • 11
    成功量產全球最高速128Mb靜態隨機存取存儲器
  • 10
    成功開發第四代64Mb同步動態隨機存取存儲器
  • 9
    開發64Mb的DDR SDRAM
  • 2
    韓國國內最先成功開發汽車用非存儲半導體

1997

  • 11
    全球最先成功開發Synclink動態隨機存取存儲器新產品
  • 5
    在世界上首次開發1Gb SDRAM

1996

  • 12
    公司股票上市

1995

  • 12
    躋身韓國國內10大製造企業
  • 10
    在世界上首次開發256Mb的SDRAM
  • 8
    在美國俄勒岡州設立半導體工廠

1993

  • 9
    獲得半導體類ISO9001證書
  • 8
    接管Maxtor公司(美國HDD生產公司)
    成功開發1Mb Fast靜態隨機存取存儲器
  • 7
    16Mb動態隨機存取存儲器進入試生產(FAB IV)
  • 6
    FAB IV完工
  • 3
    混合IC和存儲模塊獲得ISO9002認證

1992

  • 12
    FAB 2 B-Line完工
  • 11
    被美國Analog Devices – PMI選為半導體組裝領域最佳企業
  • 9
    獲得半導體組裝領域ISO9002認證
    成功開發第二代16Mb動態隨機存取存儲器
    成功開發半導體64Mb動態隨機存取存儲器

1991

  • 11
    成功開發1Mb Slow靜態隨機存取存儲器
  • 4
    成功量產4Mb動態隨機存取存儲器
  • 3
    開發16Mb的DRAM

1990

  • 1
    開始生產1Mb動態隨機存取存儲器
LG 반도체 인수합병 이미지

1999.07 LG半導體併購

세계 최초 SOI(Silicon on  Insulator) 기술 적용 1Gb SD램 개발 이미지

1999.05 在世界上首次開發1Gb SDRAM

현대전자가 개발한 64Mb D램 이미지

1992.09 現代電子開發的64M DRAM

현대전자 전경 이미지

1990 現代電子

연구개발 풍경 이미지

1990 研發基地

공진청 주관 품질경영 100선 선정 이미지

1990 被評為質量管理百強之一

1989 ~ 1983 事業的第一步

1989

  • 11
    竣工 FAB III
  • 9
    開發4Mb的DRAM
  • 8
    成功開發256K Fast靜態隨機存取存儲器
  • 4
    開始共同開發16Mb動態隨機存取存儲器
  • 1
    躋身全球半導體市場佔有率前20

1988

  • 11
    在歐洲當地設立公司(HEE)
  • 6
    成功開發256K Slow靜態隨機存取存儲器
  • 1
    開發1Mb的DRAM

1987

  • 10
    開始出口256Kb動態隨機存取存儲器
  • 8
    與美國TI公司簽訂256Kb動態隨機存取存儲器代工供應合同
  • 7
    與美國MOS ELECTRONIC公司達成256Kb靜態隨機存取存儲器技術合作
  • 6
    舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”
  • 4
    設立半導體研究院

1986

  • 10
    FAB 1B-LINE完工
  • 6
    舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”
  • 4
    設立半導體研究院
  • 1
    設立軟件業務本部

1985

  • 12
    16Kb靜態隨機存取存儲器開始出貨
  • 10
    開始批量生產256K的DRAM

1984

  • 12
    韓國國內最先成功試產16Kb靜態隨機存取存儲器
  • 9
    完成FAB II-A

1983

  • 10
    利川工廠開工
  • 3
    設立美國當地法人公司HEA
  • 2
    創立現代電子株式會社
현대전자 종합준공 이미지

1986.10 現代電子完成

현대전자가 국내 최초로 양산에 돌입한 256K D램 이미지

1985.10 現代電子在韓國首次量產256K DRAM

국내 최초 16Kb S램 개발 이미지

1984.12 在韓國開發出第一個 16Kb S-RAM

현대전자산업 창립 당시 이천사업장 조감도 이미지

1983.02 現代電子工業成立時的利川工廠鳥瞰圖

현대전자 전경 이미지

1983 現代電子全景

건설중인 반도체공장 이미지

1980 建設中的半導體工廠