ABOUT US成長歷程
2000年代
- 12月
世界最初獲得40納米級2千兆位DDR#的英特爾認證
- 11月
獲得40納米級2千兆位DDR3的英特爾認證
- 10月
開發業內最高性能的第二代1千兆位DDR3
- 08月
世界最初獲得4千兆位移動DRAM的英特爾認證
- 04月
全球最先開發低耗電-高速 (Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
- 03月
全球最先發表 8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
- 02月
全球最先開發44nm DDR3 DRAM
- 01月
全球最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證
- 12月
全球最先開發2Gb Mobile DRAM
- 11月
引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
- 08月
清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAM技術的16 GB 2-Rank R-DIMM
Numonyx及海力士竭盡全力 ﹐引進嶄新而創新的NAND閃存存儲器產品及技術
- 05月
與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
- 04月
為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎
開發出全球最高速Mobile LPDDR2 - 02月
引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
- 01月
簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
- 12月
成功發行國際可兌換券 (global convertible notes
- 11月
WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案，判日本敗訴
與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議
獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證
業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM - 10月
與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同
與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同 - 09月
以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP
- 08月
開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
- 07月
發表企業中長期總體規劃
- 05月
業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
- 04月
開始大量生產 DOC H3
在韓國清州300mm設施開工
實現最高水平的營業利潤率 - 03月
開發出世界最高速ECC Mobile DRAM
發表“生態標記(ECO Mark)”
與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
金鐘甲就任新任代表理事、社長 - 01月
開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
- 12月
业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块
开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM - 10月
创下创立以来最高业绩
通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
- 09月
300mm研究生产线下线
- 03月
业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
- 01月
发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
- 12月
世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
- 11月
业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
- 07月
提前从企业重组完善协议中抽身而出
- 04月
海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
- 03月
发布2004年财务报表，实现高销售利润
- 01月
与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
- 11月
与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
- 08月
与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
- 07月
获得公司成立以来最大的季度营业利润
- 06月
签订非内存事业营业权转让协议
- 03月
行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz
1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 - 02月
成功开发NAND闪存
- 12月
宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
- 08月
宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
- 07月
宣布在世界上首次发表DDR500
- 06月
512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
- 05月
采用0.10微米工艺技术投入生产
超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 - 04月
宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
- 03月
发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
- 11月
出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
- 10月
开发0.10微米、512MB DDR
- 08月
在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
- 06月
在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
- 03月
开发1G DDR DRAM模块
- 08月
开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
完成与现代集团的最终分离 - 07月
剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
- 05月
剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’ - 03月
公司更名为“Hynix半导体有限公司”
- 08月
剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
- 04月
剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’