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ABOUT US成長歷程

2000年代

2009
  • 12月

    世界最初獲得40納米級2千兆位DDR#的英特爾認證

  • 11月

    獲得40納米級2千兆位DDR3的英特爾認證

  • 10月

    開發業內最高性能的第二代1千兆位DDR3

  • 08月

    世界最初獲得4千兆位移動DRAM的英特爾認證

  • 04月

    全球最先開發低耗電-高速 (Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

  • 03月

    全球最先發表 8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證

  • 02月

    全球最先開發44nm DDR3 DRAM

  • 01月

    全球最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證

2008
  • 12月

    全球最先開發2Gb Mobile DRAM

  • 11月

    引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

  • 08月

    清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
    世界最先推出使用MetaRAM技術的16 GB 2-Rank R-DIMM
    Numonyx及海力士竭盡全力 ﹐引進嶄新而創新的NAND閃存存儲器產品及技術

  • 05月

    與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案

  • 04月

    為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎
    開發出全球最高速Mobile LPDDR2

  • 02月

    引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

  • 01月

    簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
    發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2007
  • 12月

    成功發行國際可兌換券 (global convertible notes

  • 11月

    WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案，判日本敗訴
    與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議
    獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證
    業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM

  • 10月

    與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同
    與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同

  • 09月

    以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發NAND閃存MCP

  • 08月

    開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

  • 07月

    發表企業中長期總體規劃

  • 05月

    業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證

  • 04月

    開始大量生產 DOC H3
    在韓國清州300mm設施開工
    實現最高水平的營業利潤率

  • 03月

    開發出世界最高速ECC Mobile DRAM
    發表“生態標記(ECO Mark)”
    與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
    與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
    金鐘甲就任新任代表理事、社長

  • 01月

    開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模塊
    2006年創下最高業績及利潤

2006
  • 12月

    业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块
    开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

  • 10月

    创下创立以来最高业绩
    通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络

  • 09月

    300mm研究生产线下线

  • 03月

    业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证

  • 01月

    发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)

2005
  • 12月

    世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM

  • 11月

    业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM

  • 07月

    提前从企业重组完善协议中抽身而出

  • 04月

    海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

  • 03月

    发布2004年财务报表，实现高销售利润

  • 01月

    与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议

2004
  • 11月

    与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

  • 08月

    与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议

  • 07月

    获得公司成立以来最大的季度营业利润

  • 06月

    签订非内存事业营业权转让协议

  • 03月

    行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz
    1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证

  • 02月

    成功开发NAND闪存

2003
  • 12月

    宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

  • 08月

    宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。

  • 07月

    宣布在世界上首次发表DDR500

  • 06月

    512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证

  • 05月

    采用0.10微米工艺技术投入生产
    超低功率256Mb SDRAM投入批量生产

  • 04月

    宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

  • 03月

    发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM

2002
  • 11月

    出售HYDIS， TFT-LCD业务部门

  • 10月

    开发0.10微米、512MB DDR

  • 08月

    在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM

  • 06月

    在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户

  • 03月

    开发1G DDR DRAM模块

2001
  • 08月

    开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
    完成与现代集团的最终分离

  • 07月

    剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’

  • 05月

    剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
    剥离网络业务‘Hyundai Networks’

  • 03月

    公司更名为“Hynix半导体有限公司”

2000
  • 08月

    剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’

  • 04月

    剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’