ABOUT US主要历程
2010年代
- 06
通过韩美日联合国际财团，完成收购东芝存储器公司的程序。
- 05
完成Happy More ‘子公司残疾人标准工作场所’
- 03
引入外部董事制度和在董事会内设立持续管理委员会
- 02
开发商业用的第四代（72层）3D NAND 4TByte 串行高级技术附件(SATA)固态硬盘
开始第4代（72层）基于NAND的新一代PCIe eSSD客户认证
- 10
运作”SK海力士产业保健促进委员会“
- 09
发表利川校园研发中心建设计划
决定投资东芝存储器公司 - 07
成立铸造专门子公司“SK海力士系统集成电路”
- 04
开发业界最高的72层3D NAND闪存
正在开发以线宽20纳米、8Gb为基础的新一代Graphic DRAM-GDDR6 - 01
全世界容量最大的8GB、超低功耗的移动DRAM----LPDDR4X上市
- 12
公开在忠清北道青州市建立最先进的晶圆厂的计划
- 10
作为韩国企业，首次加入CDP最权威的“白金俱乐部”
与美国斯坦福大学签署“关于人工神经网半导体器件的联合研发“协议
- 08
为成立”子公司形式的标准单位“，与韩国残疾人雇佣公团签署合作备忘录
- 02
男手球队”SK Hawks“成立
- 08
利川M14竣工
与美国闪迪签订延长专利许可期限及供货合同 - 06
业界首次采用“薪水分享制度“
- 02
8Gb LPDDR4业界最早进入市场
- 01
2014年,年度经营业绩创下历史新高
- 12
与东芝签署了联合开发纳米压印光刻谅解备忘录
- 10
开发全球首个16GB NVDIMM
- 09
于中国四川省重庆市建立后端线
连续五年列入道琼斯可持续发展指数(DJSI)
开发全球首个 Wide IO2 Mobile DRAM
- 06
与Softeq Development FLLC的固件部門合併
- 05
与Violin Memory的PCIe Card 部門合併
- 04
开发全球首个 128GB DDR4模件
- 12
开发全球首个 20nm Class LPDDR4
开发全球首个 TSV-based HBM - 11
建立大规模生产16nm NAND 闪存系统
- 10
开发全球首个 20nm Class 6Gb LPDDR3
- 08
设立综合分析中心
- 07
与三星电子签署了交叉许可协议
- 06
与Rambus签署了专利许可协议
开发全球首个高密8Gb LPDDR3 - 02
Park Sung Wook 为新任命的CEO
- 09
开发低压 4Gb Graphics DDR3
连续3年列入道琼斯可持续发展世界指数（DJSI-World）
设立闪存解决方案设计中心 - 06
于清州市建立M12生产线
推出客户端SSD
推出客户端SSD
收购 Ideaflash S.r.l.并于欧洲建立闪存研发中心
与IBM签署了联合开发PCRAM的协议
- 04
与Spansion签署战略联盟
- 03
公司名称改为 SK hynix Inc.
- 02
SK电信成为海力士的第一大股东
委任崔泰源先生为新主席兼行政总裁
委任Mr. Sung Min Ha 为董事会主席
- 11
SK电信与海力士股份管理委员会签署了股份购买协议书
- 07
与Toshiba 签署了联合开发MRAM的协议
- 06
委任Mr. In-Baik Jeon 为董事会主席
- 04
开发30nm Class 2Gb 高性能 DDR4 DRAM
- 03
利用TSV技术开发40nm Class 16Gb DDR3 DRAM
- 09
入选道琼斯可持续发展世界指数
与HP签署了联合开发新一代记忆体产品ReRAM的协议 - 06
于中国建成HITECH 半导体封装测试的后端合资企业
- 03
委任Mr. Oh Chul Kwon 为新行政总裁
- 02
开发20nm Class 64Gb NAND Flash
- 01
开发全球首个2Gb移动低功耗DDR2 DRAM