PRODUCTSRaw NAND
Overview
Continuing to advance through 3D technology
SK하이닉스는 2014년에 1세대 프로토 타입 3D NAND를 개발한데 이어, 2015년에는 2세대 3D NAND를 이용한 솔루션을 선보이고 있습니다.
SK하이닉스의 3D NAND 기술은 폭넓은 저장 장치 영역에 다양한 가능성을 제공하게 될 것입니다.
Benefits of SK hynix 3D Technology
Reliability
3D NAND는 수직 구조의 셀을 가지고 있어 비트 라인간의 간섭을 최소화 하였으며, 플로팅 게이트를 대신하여 절연체를 사용함으로써 워드 라인 간의 간섭이 ‘0’에 가까워, 기존 NAND 대비 2배 이상 높은 신뢰성을 갖고 있습니다.
Performance
이러한 3D 구조 덕분에 셀 간섭이 줄어들고 셀 분포 폭도 좁아져 고속의 one-shot 프로그래밍이 가능하며, 실제 모바일 기기에 채용 될 경우 기존 64GB MLC NAND 대비 sequential write가 50% 이상 개선되어 200MB/s의 높은 성능을 보입니다.
Bit Growth
3D NAND는 기존의 포토식각(photolithography)이 아닌 레이어를 수직 쌓아 용량을 증가 시킨 것으로 플래시 패턴 공법의 한계 또한 사라져, Net Die가 기존 대비 30% 이상 증가했습니다.
SK hynix 3D NAND Everywhere
3D NAND 기술은 기존의 클라이언트 SSD와 엔프라이즈 SSD 뿐 아니라 다양한 모바일 기기에서도 스토리지로서 광범위하게 채용될 예정입니다.
Supporting Mobile & Channel
SK하이닉스는 고객들께 최상의 3D NAND를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
NAND Flash portfolio
SK하이닉스는 끊임없는 3D NAND 기술 개발을 통해 다양한 스토리지 솔루션을 지속적으로 선보일 예정입니다.
| Year | 2014 | 2015 | 2016 | Future |
|---|---|---|---|---|
| Technology | 3D V1 | 3D V2, 3D V3 | 3D V4 | 3D V4, 3D V5 |
| Solutions | eMMC5.0 | eMMC5.1, UFS2.0 | SATA SSD, NVMe SSD, UFS2.1 | SATA SSD, UFS3.0, NVMe SSD |
